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Equipamento de gravação a laser

Gravação a laser ultrafina de 5 μm — Precisão submicrométrica para semicondutores e FPCs. Processamento de alta velocidade de 2000 mm/s — 4 vezes mais rápido que a corrosão química, sem desperdício. Compatibilidade com mais de 200 materiais — de vidro a ligas de titânio, sem contato. Controle HMI inteligente — Foco automático e integração CAD, certificado pela ISO.
  • Le Cheng
  • Xangai
  • Três meses
  • Cinquenta conjuntos no ano

Características estruturais

Nosso sistema de gravação a laser integra engenharia de ponta para um desempenho incomparável:

  1. Fonte de laser ultraestável: lasers de fibra/UV/picossegundo com duração de pulso ajustável (ns/ps/fs), opções de comprimento de onda (355 nm, 532 nm, 1064 nm) e potência de pico de até 50 W.

  2. Sistema de movimento de alta precisão: Plataforma de granito com rolamentos de ar e precisão de posicionamento de ±1 μm, acoplada à varredura galvanométrica (campo de visão de 7 mm² a 300 mm²) para padronização dinâmica.

  3. Conjunto de Controle Inteligente:

    • Foco automático em tempo real no eixo Z (resolução: 0,1 μm)

    • Alinhamento visual CCD para precisão de sobreposição de ±5 μm

    • Interface homem-máquina (IHM) com software proprietário compatível com os formatos DXF, Gerber e BMP.

  4. Controle ambiental multicamadas:

    • Invólucro compatível com salas limpas Classe 1000

    • Regulação ativa de temperatura e umidade (±0,5°C)

    • Extração integrada de fumos com filtragem HEPA

  5. Opções de atualização modular: Estágio rotativo de 3 eixos opcional, perfilometria in situ ou configuração híbrida multilaser.

  6. Laser Etching Equipment​


Vantagens técnicas

Revolucione sua produção com vantagens tecnológicas essenciais:

  • Precisão submicrométrica: Obtenha dimensões de características de 5 a 20 μm (Ra < 0,2 μm) através da modelagem do feixe com limite de difração.

  • Processamento sem contato: Elimina o desgaste da ferramenta e o estresse mecânico em materiais frágeis (ex.: SiC, vidro).

  • Controle adaptativo de energia: a modulação de potência pulso a pulso (1–100% em incrementos de 0,1%) permite a ablação seletiva de multicamadas (por exemplo, ITO/Ag/PET).

  • Velocidade e eficiência: velocidade de varredura de 2000 mm/s com aceleração de 50g; 4 vezes mais rápido que a corrosão química.

  • Operação ecologicamente consciente: consumo de energia 30% menor em comparação com os concorrentes; sem agentes de corrosão tóxicos ou geração de águas residuais.

precision laser etching

Aplicações típicas

Promovendo a inovação em todos os setores:


SetorCasos de usoPrincipais benefícios
SemicondutoresCorte de wafers, recorte de circuitos integrados, marcação de encapsulamentoLargura do corte <10μm, sem microfissuras
FPD/LEDPadronização de FPC, remoção de encapsulamento de OLED, gravação de sensor de toqueAblação seletiva, taxa de sucesso de 99,9%.
SolarPerfuração de células PERC (furos de 10–20 μm), gravação de filmes finos500 furos/seg, precisão posicional de ±2 μm
Dispositivos médicosTexturização de stents, micro-ranhuras em implantes, fabricação de canais em microchipsModificação de superfície biocompatível
Pesquisa e Desenvolvimento AvançadosProcessamento de materiais 2D, criação de metassuperfícies, prototipagem de dispositivos quânticosimagem térmica de nanossegundos


As especificações são meramente indicativas - Todos os equipamentos são totalmente personalizáveis ​​de acordo com as suas necessidades!



  • Quanto tempo demora entre o pedido do equipamento e a produção oficial quando cooperamos com a Locsen?

    O cronograma geral varia de acordo com as especificações do equipamento e a escala da linha de produção. Para equipamentos autônomos, os modelos padrão exigem um ciclo de fabricação de 45 dias, com duração total (incluindo envio e instalação) de aproximadamente 60 dias. Equipamentos personalizados exigem um prazo adicional de 30 dias, com base nos requisitos técnicos. Para soluções de linha completa: • Linhas de produção de nível de 100 MW requerem ~4 meses para planejamento, fabricação de equipamentos, instalação e comissionamento • As linhas de produção de nível GW requerem ~8 meses Fornecemos cronogramas detalhados de projetos com gerentes dedicados, garantindo uma coordenação perfeita. Exemplo: a linha de produção de perovskita de 1 GW de um cliente foi concluída 15 dias antes do previsto, por meio da fabricação paralela de equipamentos e construção de instalações.
  • A Locsen oferece equipamentos adequados e soluções de parceria para empresas iniciantes de perovskita?

    A Locsen oferece um "Programa de Parceria em Fases" projetado especificamente para startups de perovskita. Para a fase inicial de P&D, fornecemos equipamentos compactos em escala piloto (por exemplo, sistemas de gravação a laser de 10 MW) junto com pacotes de processos essenciais para facilitar a validação da tecnologia e a iteração do produto. Durante as fases de expansão, as startups se qualificam para benefícios de atualização: • Módulos principais de equipamentos piloto podem ser negociados com dedução de valor para máquinas de linha de produção • Colaboração técnica opcional, incluindo suporte ao desenvolvimento de processos e compartilhamento de dados experimentais Este programa permitiu com sucesso que diversas startups fizessem uma transição tranquila do laboratório para a produção piloto, ao mesmo tempo em que reduzia os riscos de investimento em estágio inicial.
  • O equipamento da Locsen suporta células solares de perovskita de tamanhos variados? Qual é a dimensão máxima suportada?

    O equipamento laser da Locsen apresenta compatibilidade de tamanho excepcional, capaz de processar células solares de perovskita variando de 10 cm x 10 cm a 2,4 m x 1,2 m. Para processamento de células superdimensionadas (por exemplo, substratos rígidos de 12 m × 2,4 m), oferecemos sistemas de laser do tipo pórtico personalizados com sincronização de múltiplos cabeçotes de laser para garantir precisão e produtividade. • Desempenho comprovado: células de 1,2 m × 0,6 m processadas com sucesso com precisão de marcação líder do setor (± 15 μm) e uniformidade (> 98%) • Design modular: módulos ópticos intercambiáveis ​​adaptam-se a espessuras variadas (0,1-6 mm) • Calibração inteligente: o alinhamento do feixe em tempo real assistido por IA compensa a deformação do substrato
  • A Locsen fornece soluções de laser personalizadas para todos os principais estágios de produção de células solares de perovskita?

    Sim, a Locsen fornece soluções abrangentes de processamento a laser que abrangem toda a cadeia de produção de células solares de perovskita: Marcação a laser P0: para identificação de células após deposição de filme P1/P2/P3 Laser Scribing: Padronização de precisão de • Camadas condutoras transparentes (P1) • Camadas ativas de perovskita (P2) • Eletrodos traseiros (P3) Isolamento de borda P4: corte de borda em nível de mícron para evitar curto-circuito Módulos de células tandem: sistemas de gravação a laser dedicados para processamento de camadas multimateriais Nosso ecossistema de equipamentos integrados garante que todos os requisitos de processamento a laser sejam atendidos com: • Precisão de alinhamento ≤20μm entre camadas • Zona de Efeito Térmico controlada abaixo de 5μm • Plataformas modulares que dão suporte à P&D para produção em escala GW
  • Quais faixas de tolerância de composição as ferramentas de Locsen suportam para formulações de perovskita variantes?

    Os sistemas de laser da Locsen demonstram adaptabilidade excepcional a diversas composições de perovskita. • Parâmetros pré-carregados: configurações otimizadas para formulações convencionais (por exemplo, FAPbI₃, CsPbI₃) na biblioteca de receitas de laser permitem acesso instantâneo ao operador • Suporte de P&D: para novas composições (por exemplo, perovskitas baseadas em Sn), nossa equipe oferece: Calibração personalizada de comprimento de onda/fluência em 72 horas Validação de desempenho garantindo<1% PCE degradation post-processing • Smart Compensation: On-board spectroscopy modules monitor reflectivity in real-time, automatically adjusting: Pulse duration (20-500ns) Beam profile (Top-hat/Gaussian) Energy density (0.5-3J/cm²) Technical Highlights: ▸ Tolerance for ±15% stoichiometric variation in Pb:Sn ratios ▸ Support for 2D/3D hybrid phase patterning ▸ Non-contact processing avoids cross-contamination

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