Processo de fabricação de células solares de perovskita
O processo de fabricação de células solares de perovskita envolve múltiplas etapas precisas, com a tecnologia laser desempenhando um papel fundamental no aumento da eficiência e da estabilidade. As principais etapas incluem:
Preparação do substrato: Limpeza e pré-tratamento do substrato (por exemplo, vidro ou polímeros flexíveis) para garantir adesão e condutividade ideais.
Deposição de eletrodos: Depositar óxidos condutores transparentes (por exemplo, ITO ou FTO) como eletrodos de fundo.
Riscagem a laser (P1): Usando tecnologia laser para padronizar o eletrodo inferior, isolando subcélulas individuais para criar conexões em série.
Revestimento de camada funcional:Deposição sequencial da camada de transporte de elétrons (ETL), camada de absorção de perovskita e camada de transporte de lacunas (HTL).
Riscagem a laser (P2): Removendo a pilha ETL/perovskita/HTL para expor o eletrodo inferior para interconexão de subcélulas.
Deposição de eletrodo superior: Depositar o eletrodo superior (por exemplo, metal ou óxido condutor).
Riscagem a laser (P3): Padronização do eletrodo superior para completar a conexão em série entre subcélulas.
Exclusão de Borda (P4):Usando ablação a laser para remover filmes periféricos (normalmente de 8 a 15 mm de largura) para garantir a compatibilidade do encapsulamento.
Encapsulamento: Selar o dispositivo para proteger contra degradação ambiental.

Aplicações de laser
1.Processamento a laser ultrarrápido
Os lasers ultrarrápidos (por exemplo, lasers de femtossegundo ou picossegundo) permitemablação a frio, minimizando danos térmicos aos materiais circundantes.
Durações de pulso curtas(por exemplo, 300 fs) reduzem a zona afetada pelo calor (ZAT), garantindo padrões precisos sem comprometer as camadas adjacentes.
2.Riscagem a laser
Escrita P1, P2 e P3dividir a célula em subcélulas interconectadas, formando conexões em série para obter uma saída de tensão mais alta.
Zona Morta: A região de marcação não ativa (por exemplo, linhas P1/P2/P3) deve ser minimizada (<150 μm) para reduzir perdas de eficiência.
Exclusão de Borda: A remoção de filmes periféricos (8–15 mm) evita curtos-circuitos e garante a confiabilidade do encapsulamento.

3.Técnicas Avançadas de Laser
Modelagem de vigas: Usando sistemas de lentes asféricas para transformar feixes gaussianos emvigas de topo plano, garantindo distribuição uniforme de energia e reduzindo danos nas bordas.
Sistemas de Rastreamento Dinâmico: Algoritmos de compensação e rastreamento visual em tempo real ajustam os caminhos de marcação com base na posição da linha P1, minimizando o desalinhamento e a largura da zona morta.
Processamento Multi-Feixe: Sistemas em escala GW (por exemplo, lasers de 24 feixes) permitem gravação de alto rendimento para módulos de grande área (por exemplo, 1200 × 2400 mm) com tempos de ciclo de apenas 30 segundos.
Equipamentos-chave para células solares de perovskita
Sistemas de marcação a laser:
Lasers ultrarrápidos: Lasers de femtossegundo/picosegundo com comprimentos de onda de 532 nm ou 355 nm para gravação precisa.
Óptica Multifeixe: Sistemas com 12–24 feixes controlados independentemente para processamento paralelo.
Monitoramento em tempo real: Imagem CCD e microscopia confocal integradas para medir profundidade, largura e defeitos de inscrição.
Rastreamento dinâmico e compensação:
Os sensores detectam a posição da linha P1 e ajustam automaticamente os caminhos P2/P3 para manter um espaçamento consistente (por exemplo, precisão de 10 μm).
Benefícios: Reduz a largura da zona morta, melhora a eficiência e aumenta o rendimento da produção.
Equipamentos de processamento de grandes áreas:
Máquinas de gravação a laser em escala GW (por exemplo, o sistema da Qinghong Laser) suportam módulos de até 2,88 m², atingindo velocidades de gravação de 2.000 a 6.000 mm/s.
Efeitos de processamento a laser
P1 Escrita
Objetivo: Remova completamente o eletrodo inferior (por exemplo, ITO) sem danificar o substrato.
Parâmetros Otimizados:
Laser: Laser de femtossegundo de 532 nm, potência de 1,8–2,4 W, velocidade de 2000 mm/s, frequência de 1000 kHz.
Resultado: Largura de marcação <10 μm, sem danos ao substrato e ZAT mínima (<1 μm).
Escrita P2
Objetivo: Remova a pilha ETL/perovskita/HTL para expor o eletrodo inferior sem danificá-lo.
Parâmetros Otimizados:
Laser: Laser de femtossegundo de 532 nm, potência de 0,46 W, velocidade de 4000 mm/s.
Resultado: Profundidade de marcação de ~858 nm, remoção precisa sem danos ao eletrodo.
Escrita P3
Objetivo: Padronize o eletrodo superior (por exemplo, Au) para isolar subcélulas adjacentes.
Parâmetros Otimizados:
Laser: Laser de femtossegundo de 532 nm, potência de 0,2 W, velocidade de 6000 mm/s.
Resultado: Profundidade de inscrição de ~534 nm, sem danos na camada subjacente.
Resumo das Vantagens
Processamento Multi-Feixe:Os sistemas de laser de 12/24 feixes oferecem maior estabilidade e controle de potência independente para cada feixe, melhorando a flexibilidade e a confiabilidade.
Rastreamento de foco em tempo real: Mantém pontos focais consistentes mesmo em substratos curvos ou flutuantes, garantindo profundidade e largura de marcação uniformes.
Rastreamento e Compensação Visual: Ajusta dinamicamente o espaçamento P1/P2/P3 para minimizar zonas mortas (<150 μm), melhorando a eficiência de conversão e o rendimento da produção.
Escalabilidade: Equipamentos em escala GW permitem a produção de módulos de grande área (por exemplo, 2,88 m²) com alto rendimento (ciclos de 30 segundos).
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Esta visão geral destaca o papel crucial da tecnologia laser no avanço da eficiência, escalabilidade e comercialização de células solares de perovskita. Para obter detalhes técnicos específicos ou recomendações de equipamentos, consulte fabricantes especializados como Qinghong Laser ou Yuanlu Photonics.



















































